IXFX32N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 32А, 960Вт, PLUS247™, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2680 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel 1000V 32A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247в„ў-3

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFX32N100P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2116098

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PLUS247в„ў-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

32A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

14200pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

960W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 16A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Series

HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFX32N100P , pdf , 121 КБ

IXFX32N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 32А, 960Вт, PLUS247™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 2680 руб.

Техническая документация