IXFX100N65X2, Транзистор N-MOSFET, 650В, 100А, 1040Вт, PLUS247™, 200нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2020 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор МОП-транзистор 650V/100A Ultra Junction X2

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFX100N65X2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2152766

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

650V Ultra Junction X2

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

1.04 kW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

40 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PLUS247в„ў-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

30 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.7 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

11300pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1040W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 50A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Series

HiPerFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

180 nC

Время нарастания

24 ns

Время спада

7 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

83 ns

Типичное время задержки при включении

59 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFX100N65X2 , pdf , 207 КБ
Datasheet IXFX100N65X2 , pdf , 214 КБ

IXFX100N65X2, Транзистор N-MOSFET, 650В, 100А, 1040Вт, PLUS247™, 200нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 2020 руб.

Техническая документация