IXFT24N90P, Транзистор N-MOSFET, Polar™, полевой, 900В, 24А, 660Вт, TO268, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1840 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFT24N90P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2136673

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

14 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFT24N90

Торговая марка

IXYS

Длина

16.05 mm

Высота

5.1 mm

Id - непрерывный ток утечки

24 A

Pd - рассеивание мощности

660 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

900 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

16 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-268-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-268

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

420 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

6.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

24A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

660W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 12A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Series

HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->

Qg - заряд затвора

130 nC

Время нарастания

40 ns

Время спада

38 ns

Коммерческое обозначение

HyperFET

Типичное время задержки выключения

68 ns

Типичное время задержки при включении

46 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 122 КБ
Datasheet , pdf , 126 КБ

IXFT24N90P, Транзистор N-MOSFET, Polar™, полевой, 900В, 24А, 660Вт, TO268 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1840 руб.

Техническая документация