IXFT180N20X3HV, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 200В, 180А, 780Вт, TO268, 94с, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1950 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канал 200V 180A (Tc) 780W (Tc) поверхностный монтаж TO-268HV

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFT180N20X3HV

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2129377

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Surface Mount

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-268HV

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

180A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

780W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 90A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Series

HiPerFETв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 310 КБ

IXFT180N20X3HV, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 200В, 180А, 780Вт, TO268, 94с - характеристики, поставщики

Последняя цена 1950 руб.

Техническая документация