IXFR64N50P, Транзистор N-MOSFET, PolarHV™, полевой, 500В, 37А, 300Вт, 200нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2130 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel 500V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247в„ў

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFR64N50P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2180531

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

ISOPLUS247в„ў

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

ISOPLUS247в„ў

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

8700pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 32A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Series

HiPerFETв„ў, PolarHTв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFR64N50P , pdf , 144 КБ

IXFR64N50P, Транзистор N-MOSFET, PolarHV™, полевой, 500В, 37А, 300Вт, 200нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 2130 руб.

Техническая документация