IXFR26N120P, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 15А, 320Вт, ISOPLUS247™, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4420 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 32 Amps 1200V 0.46 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFR26N120P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2079468

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Ширина

5.21 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFR26N120

Тип

Polar Power MOSFET HiPerFET

Торговая марка

IXYS

Длина

16.13 mm

Высота

21.34 mm

Id - непрерывный ток утечки

15 A

Pd - рассеивание мощности

320 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.2 kV

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

13 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

500 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

6.5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

225 nC

Время нарастания

55 ns

Время спада

58 ns

Коммерческое обозначение

Polar, HiPerFET

Типичное время задержки выключения

76 ns

Типичное время задержки при включении

56 ns

Техническая документация

Datasheet IXFR26N120P , pdf , 140 КБ

IXFR26N120P, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 15А, 320Вт, ISOPLUS247™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 4420 руб.

Техническая документация