IXFQ50N60X, Транзистор N-MOSFET, 600В, 50А, 660Вт, TO3P, 195нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFQ50N60X

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2101127

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

5.5

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

50 A

Pd - рассеивание мощности

660 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-3P-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

73 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

116 nC

Время нарастания

62 ns

Время спада

13 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

60 ns

Типичное время задержки при включении

28 ns

IXFQ50N60X, Транзистор N-MOSFET, 600В, 50А, 660Вт, TO3P, 195нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 1200 руб.