ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFP76N15T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 76А; 350Вт; TO220-3; 69нс - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFP76N15T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 76А; 350Вт; TO220-3;…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFP76N15T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 76А; 350Вт; TO220-3; 69нс
Последняя цена
730 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор TRENCHT2 HIPERFET PWR МОП-транзистор 150V 76A
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFP76N15T2
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1815004
Технические параметры
Вес, г
2.08
Ширина
4.83 mm
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IXFP76N15
Тип
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
Торговая марка
IXYS
Длина
10.66 mm
Высота
16 mm
Id - непрерывный ток утечки
76 A
Pd - рассеивание мощности
350 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
150 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
50 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
20 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4.5 V
Канальный режим
Enhancement
Qg - заряд затвора
97 nC
Время нарастания
19 ns
Время спада
14 ns
Коммерческое обозначение
TrenchT2, HiperFET
Типичное время задержки выключения
25 ns
Типичное время задержки при включении
17 ns
Техническая документация
Datasheet IXFP76N15T2 , pdf
, 366 КБ
Datasheet IXFP76N15T2 , pdf
, 250 КБ