IXFP60N25X3, Транзистор N-MOSFET, 250В, 60А, 320Вт, TO220-3, 95нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 860 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class МОП-транзистор

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFP60N25X3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2159109

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

X3-Class

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

60 A

Pd - рассеивание мощности

320 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

250 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

30 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB (IXFP)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

19 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

60A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3610pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

320W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 30A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.5mA

Series

HiPerFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

50 nC

Время нарастания

10 ns

Время спада

7 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

62 ns

Типичное время задержки при включении

18 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFP60N25X3 , pdf , 289 КБ

IXFP60N25X3, Транзистор N-MOSFET, 250В, 60А, 320Вт, TO220-3, 95нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 860 руб.

Техническая документация