ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFP5N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 5А, 250Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFP5N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 5А, 250Вт, TO220-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFP5N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 5А, 250Вт, TO220-3
Последняя цена
670 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFP5N100P
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2164839
Технические параметры
Количество Выводов
3
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Вес, г
3
Максимальная Рабочая Температура
150
Полярность транзистора
N Канал
Transistor Polarity
N Channel
Transistor Mounting
Through Hole
Линейка Продукции
Polar HiPerFET Series
Напряжение Измерения Rds(on)
10
Напряжение Истока-стока Vds
1
Непрерывный Ток Стока
5
Пороговое Напряжение Vgs
6
Рассеиваемая Мощность
250
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
2.8
Continuous Drain Current Id
5
Drain Source Voltage Vds
1
No. of Pins
3
On Resistance Rds(on)
2.8
Operating Temperature Max
150
Power Dissipation Pd
250
Product Range
Polar HiPerFET Series
Rds(on) Test Voltage Vgs
10
Threshold Voltage Vgs
6
Transistor Case Style
TO-220
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 590 КБ