ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFP4N85XM, Транзистор: N-MOSFET; X-Class; полевой; 850В; 3,5А; Idm:10А; 35Вт - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFP4N85XM, Транзистор: N-MOSFET; X-Class; полевой; 850В; 3,5А; Idm:10…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFP4N85XM, Транзистор: N-MOSFET; X-Class; полевой; 850В; 3,5А; Idm:10А; 35Вт
Последняя цена
380 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr МОП-транзистор
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFP4N85XM
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1744854
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
2.183
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
3.5 A
Pd - рассеивание мощности
150 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
850 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
1.2 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.5 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Канальный режим
Enhancement
Qg - заряд затвора
7 nC
Время нарастания
27 ns
Время спада
20 ns
Типичное время задержки выключения
28 ns
Типичное время задержки при включении
13 ns
Техническая документация
Datasheet IXFP4N85XM , pdf
, 194 КБ
Datasheet IXFP4N85XM , pdf
, 246 КБ