ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFP4N85X, Транзистор N-MOSFET, 850В, 150Вт, TO220-3, 170нс - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFP4N85X, Транзистор N-MOSFET, 850В, 150Вт, TO220-3, 170нс
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFP4N85X, Транзистор N-MOSFET, 850В, 150Вт, TO220-3, 170нс
Последняя цена
500 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFP4N85X
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2188988
Технические параметры
Вес, г
3
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
X-Class
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
3.5 A
Pd - рассеивание мощности
150 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
850 V
Вид монтажа
Through Hole
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.5 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Канальный режим
Enhancement
Qg - заряд затвора
7 nC
Коммерческое обозначение
HiPerFET