ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFP36N20X3, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 200В, 36А, 176Вт, TO220AB, 75с - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFP36N20X3, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 200В, 36А, 176Вт, TO220AB,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFP36N20X3, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 200В, 36А, 176Вт, TO220AB, 75с
Последняя цена
570 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFP36N20X3
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2120629
Технические параметры
Вес, г
3
Mounting Type
Through Hole
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
HiPerFET
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
36 A
Pd - рассеивание мощности
170 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
Вид монтажа
Through Hole
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
45 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1425pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 18A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 500ВµA
Series
HiPerFETв„ў ->
Qg - заряд затвора
21 nC
Время нарастания
30 ns
Время спада
20 ns
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Типичное время задержки выключения
54 ns
Типичное время задержки при включении
19 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXFP36N20X3 , pdf
, 321 КБ
