IXFP34N65X2, Транзистор N-MOSFET, 650В, 34А, 540Вт, TO220-3, 164нс - характеристики, поставщики

IXFP34N65X2, Транзистор N-MOSFET, 650В, 34А, 540Вт, TO220-3, 164нс

Сравнить

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFP34N65X2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2169813

Вес, г

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

34A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

540W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 2.5mA