IXFP30N25X3, Транзистор N-MOSFET, 250В, 30А, 170Вт, TO220-3, 82нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 860 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFP30N25X3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2103487

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

HiPerFET

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

130 A

Pd - рассеивание мощности

390 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

150 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

80 nC

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

9 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

176W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 15A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 500ВµA

Series

HiPerFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

80 nC

Время нарастания

25 ns

Время спада

12 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

62 ns

Типичное время задержки при включении

21 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 273 КБ

IXFP30N25X3, Транзистор N-MOSFET, 250В, 30А, 170Вт, TO220-3, 82нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 860 руб.

Техническая документация