ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFP270N06T3, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 270А, TO247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFP270N06T3, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 270А, TO247
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFP270N06T3, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 270А, TO247
Последняя цена
740 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор 60V/270A TrenchT3
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFP270N06T3
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2150866
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
2.12
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IXF
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
270 A
Pd - рассеивание мощности
480 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
83 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
SiC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.1 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Канальный режим
Enhancement
Qg - заряд затвора
200 nC
Время нарастания
36 ns
Время спада
20 ns
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Типичное время задержки выключения
48 ns
Типичное время задержки при включении
39 ns