IXFP20N85X, Транзистор N-MOSFET, 850В, 20А, 540Вт, TO220-3, 190нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 890 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 850V Ultra Junction X-Class Pwr МОП-транзистор

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFP20N85X

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2137050

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

20 A

Pd - рассеивание мощности

540 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

850 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

6 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

850V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

330 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1660pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

540W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Series

HiPerFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

63 nC

Время нарастания

28 ns

Время спада

20 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

44 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

20A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

540W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

850V

Vgs - Gate-Source Voltage

5.5V @ 2.5mA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 227 КБ
Datasheet , pdf , 232 КБ

IXFP20N85X, Транзистор N-MOSFET, 850В, 20А, 540Вт, TO220-3, 190нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 890 руб.

Техническая документация