ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFP16N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 16A 300Вт 0,4Ом TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFP16N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 16A 300Вт 0,4Ом TO220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFP16N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 16A 300Вт 0,4Ом TO220AB
Последняя цена
670 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор 500V 16A
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFP16N50P
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2157590
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
2.77
Ширина
4.83 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IXFP16N50
Торговая марка
IXYS
Длина
10.66 mm
Высота
9.15 mm
Id - непрерывный ток утечки
16 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
16 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
400 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Канальный режим
Enhancement
Время нарастания
25 ns
Время спада
22 ns
Коммерческое обозначение
HyperFET
Типичное время задержки выключения
70 ns
Типичное время задержки при включении
23 ns
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 249 КБ