IXFP14N85XM, Транзистор N-MOSFET, 850В, 14А, 38Вт, TO220FP, 116нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 850 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 850V/14A UlJun XCl

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFP14N85XM

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2117286

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.5

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

X-Class

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

14 A

Pd - рассеивание мощности

460 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

850 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4.6 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

850V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

550 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

14A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1043pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

38W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 7A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 1mA

Series

HiPerFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

30 nC

Время нарастания

30 ns

Время спада

13 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

36 ns

Типичное время задержки при включении

16 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFP14N85XM , pdf , 196 КБ

IXFP14N85XM, Транзистор N-MOSFET, 850В, 14А, 38Вт, TO220FP, 116нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 850 руб.

Техническая документация