IXFP130N10T2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 130А, 360Вт, TO220-3, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 730 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 100V 130A (Tc) 360W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFP130N10T2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2103383

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

130A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

360W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 65A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Series

GigaMOSв„ў, HiPerFETв„ў, TrenchT2в„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFP130N10T2 , pdf , 314 КБ

IXFP130N10T2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 130А, 360Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 730 руб.

Техническая документация