IXFP12N65X2M, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, TO220AB, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 570 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 650V 12A (Tc) 40W (Tc) Сквозное отверстие TO-220 Изолированный язычок

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFP12N65X2M

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2157888

Технические параметры

Вес, г

2.5

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220 Isolated Tab

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1134pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

40W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

310mOhm @ 6A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

HiPerFETв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.5nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFP12N65X2M , pdf , 570 КБ

IXFP12N65X2M, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 570 руб.

Техническая документация