IXFP10N80P, Транзистор, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 480 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFP10N80P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1810270

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.83мм

Высота

9.15мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

1.1 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.66мм

Серия

HiperFET, Polar

Типичное время задержки выключения

62 ns

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.66 x 4.83 x 9.15мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

21 ns

Производитель

IXYS

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

40 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

2050 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet IXFP10N80P , pdf , 149 КБ
Datasheet IXFP10N80P , pdf , 126 КБ

IXFP10N80P, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 480 руб.

Техническая документация