IXFN90N85X, Транзистор, X-Class HiperFET, N-канал, 850В, 90А, 41мОм [SOT-227B (minibloc)], Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3940 руб.

Сравнить

Описание

Дискретные полупроводниковые модули 850V/90A Ultra Junction X-Class

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN90N85X

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1774062

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки:

90 A

Pd - рассеивание мощности:

1.2 kW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

41 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

850 V

Vgs - напряжение затвор-исток:

- 30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :

3.5 V

Вид монтажа:

Chassis Mount

Время нарастания:

20 ns

Время спада:

8 ns

Категория продукта:

Дискретные полупроводниковые модули

Количество каналов:

1 Channel

Коммерческое обозначение:

HiPerFET

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Подкатегория:

Discrete Semiconductor Modules

Полярность транзистора:

N-Channel

Производитель:

IXYS

Размер фабричной упаковки:

Серия:

X-Class

Технология:

Тип продукта:

Discrete Semiconductor Modules

Типичное время задержки выключения:

126 ns

Типичное время задержки при включении:

50 ns

Торговая марка:

IXYS

Упаковка / блок:

SOT-227-4

Упаковка:

Tube

Техническая документация

IXFN90N85X , pdf , 129 КБ
Datasheet IXFN90N85X , pdf , 291 КБ

IXFN90N85X, Транзистор, X-Class HiperFET, N-канал, 850В, 90А, 41мОм [SOT-227B (minibloc)] - характеристики, поставщики

Последняя цена 3940 руб.

Техническая документация