IXFN82N60P, Транзистор MOSFET N-CH 600В 72A [SOT-227B], Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3760 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN82N60P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1774061

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

Максимальный непрерывный ток стока

72 A

Максимальное рассеяние мощности

1,04 кВт

Тип монтажа

Panel Mount

Ширина

25.07мм

Высота

9.6мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

38.2мм

Серия

HiperFET, Polar

Типичное время задержки выключения

79 нс

Тип корпуса

SOT-227B

Размеры

38.2 x 25.07 x 9.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

28 ns

Производитель

IXYS

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

240 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

23000 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet IXFN82N60P , pdf , 159 КБ
Datasheet , pdf , 131 КБ

IXFN82N60P, Транзистор MOSFET N-CH 600В 72A [SOT-227B] - характеристики, поставщики

Последняя цена 3760 руб.

Техническая документация