IXFN60N80P, Транзистор, PolarHV HiperFET, N-канал, 800В, 53А, 140мОм [SOT-227B (minibloc)], Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2770 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN60N80P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1774060

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

Максимальный непрерывный ток стока

53 A

Максимальное рассеяние мощности

1,04 кВт

Тип монтажа

Panel Mount

Ширина

25.42мм

Высота

9.6мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

140 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

38.23мм

Серия

HiperFET, Polar

Типичное время задержки выключения

110 нс

Тип корпуса

SOT-227B

Размеры

38.23 x 25.42 x 9.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

36 ns

Производитель

IXYS

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

250 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

18000 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

IXFN60N80P , pdf , 124 КБ
Datasheet IXFN60N80P , pdf , 227 КБ
Datasheet IXFN60N80P , pdf , 181 КБ
Datasheet IXFN60N80P , pdf , 127 КБ

IXFN60N80P, Транзистор, PolarHV HiperFET, N-канал, 800В, 53А, 140мОм [SOT-227B (minibloc)] - характеристики, поставщики

Последняя цена 2770 руб.

Техническая документация