IXFN52N100X, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 44А, SOT227B, Ugs ±40В, винтами, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 6410 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFET

Дискретные полупроводниковые модули 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN52N100X

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2109393

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

30.01

Series

HiPerFETв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

44A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

245nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6725pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

Power Dissipation (Max)

830W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 26A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-227B

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

6V @ 4mA

Id - непрерывный ток утечки

44 A

Pd - рассеивание мощности

830 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

125 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Вид монтажа

Chassis Mount

Время нарастания

13 ns

Время спада

9 ns

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Конфигурация

Single

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Серия

X-Class

Технология

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Типичное время задержки выключения

107 ns

Типичное время задержки при включении

34 ns

Торговая марка

IXYS

Упаковка / блок

SOT-227-4

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IXFN52N100X , pdf , 165 КБ

IXFN52N100X, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 44А, SOT227B, Ugs ±40В, винтами - характеристики, поставщики

Последняя цена 6410 руб.

Техническая документация