IXFN38N100P, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 38А, SOT227B, Ugs ±40В, винтами, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5900 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFET

Дискретные полупроводниковые модули 38 Amps 1000V

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN38N100P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2134345

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

30.01

Ширина

25.42 mm

Высота

9.6 mm

Series

HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

38A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

24000pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

Power Dissipation (Max)

1000W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 19A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-227B

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

38 A

Pd - рассеивание мощности

1 kW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

210 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Вид монтажа

Chassis Mount

Время нарастания

55 ns

Время спада

40 ns

Длина

38.23 mm

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Конфигурация

Single

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFN38N100

Технология

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Типичное время задержки выключения

71 ns

Типичное время задержки при включении

74 ns

Торговая марка

IXYS

Упаковка / блок

SOT-227-4

Упаковка

Tube

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFN38N100P , pdf , 144 КБ

IXFN38N100P, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 38А, SOT227B, Ugs ±40В, винтами - характеристики, поставщики

Последняя цена 5900 руб.

Техническая документация