ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFN32N120P, Модуль, одиночный транзистор, 1,2кВ, 32А, SOT227B, Ugs ±40В, 360нC - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFN32N120P, Модуль, одиночный транзистор, 1,2кВ, 32А, SOT227B, Ugs &#…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFN32N120P, Модуль, одиночный транзистор, 1,2кВ, 32А, SOT227B, Ugs ±40В, 360нC
Последняя цена
9280 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFN32N120P
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2158864
Технические параметры
Вес, г
30.01
