ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFN26N120P, Модуль, одиночный транзистор, 1,2кВ, 23А, SOT227B, Ugs ±40В, 695Вт - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFN26N120P, Модуль, одиночный транзистор, 1,2кВ, 23А, SOT227B, Ugs &#…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFN26N120P, Модуль, одиночный транзистор, 1,2кВ, 23А, SOT227B, Ugs ±40В, 695Вт
Последняя цена
7030 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFN26N120P
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2187479
Технические параметры
Вес, г
30.01
