IXFN210N30P3, Транзистор, Polar3 HiperFET, N-канал, 300В, 192А, 14.5мОм [SOT-227B (minibloc)], Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3310 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™
Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™ с быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET ™)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN210N30P3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1774057

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-227B

Transistor Material

Length

38.23mm

Brand

IXYS

Series

HiperFET, Polar3

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

268 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Монтаж на панель

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

192 A

Maximum Power Dissipation

1.5 kW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

25.07mm

Height

9.6mm

Maximum Drain Source Resistance

14.5 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

300 В

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

IXFN210N30P3 , pdf , 127 КБ
Datasheet IXFN210N30P3 , pdf , 638 КБ

IXFN210N30P3, Транзистор, Polar3 HiperFET, N-канал, 300В, 192А, 14.5мОм [SOT-227B (minibloc)] - характеристики, поставщики

Последняя цена 3310 руб.

Техническая документация