ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFN132N50P3, МОП-транзистор, N Канал, 112 А, 500 В, 0.039 Ом, 10 В, 5 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFN132N50P3, МОП-транзистор, N Канал, 112 А, 500 В, 0.039 Ом, 10 В, 5…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFN132N50P3, МОП-транзистор, N Канал, 112 А, 500 В, 0.039 Ом, 10 В, 5 В
Последняя цена
2510 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™
Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™ с быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET ™)
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFN132N50P3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1815625
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Рассеиваемая Мощность
1.5кВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
500в
Непрерывный Ток Стока
112А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.039Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
5в
Вес, г
30
Линейка Продукции
Polar3 HiPerFET Series
Техническая документация
Datasheet IXFN132N50P3 , pdf
, 176 КБ