IXFN110N85X, Модуль, одиночный транзистор, 850В, 110А, SOT227B, Ugs ±40В, 425нC, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7820 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFET

MOSFET 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN110N85X

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2154715

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

30.01

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

110 А

Package Type

SOT227

Максимальное рассеяние мощности

1.17 kW

Ширина

25.07mm

Высота

9.6мм

Количество элементов на ИС

Length

38.23mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

IXYS

Series

HiPerFETв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное напряжение сток-исток

850 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

425 @ 10 V nC

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Прямое напряжение диода

1.4V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

110A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

850V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

425nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

17000pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

Power Dissipation (Max)

1170W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 55A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-227B

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Id - непрерывный ток утечки

110 A

Pd - рассеивание мощности

1.17 kW

Qg - заряд затвора

425 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

33 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

850 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Вид монтажа

Chassis Mount

Время нарастания

25 ns

Время спада

11 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

43 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

HiperFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

144 ns

Типичное время задержки при включении

50 ns

Торговая марка

IXYS

Упаковка / блок

SOT-227-4

Упаковка

Tube

Тип корпуса

SOT227

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

110 А

Maximum Power Dissipation

1.17 kW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

25.07mm

Height

9.6mm

Maximum Drain Source Resistance

33 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

850 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Forward Diode Voltage

1.4V

California Prop 65

Warning Information

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Техническая документация

Datasheet IXFN110N85X , pdf , 128 КБ
Datasheet IXFN110N85X , pdf , 134 КБ

IXFN110N85X, Модуль, одиночный транзистор, 850В, 110А, SOT227B, Ugs ±40В, 425нC - характеристики, поставщики

Последняя цена 7820 руб.

Техническая документация