IXFN110N60P3, Транзистор, Polar3 HiperFET, N-канал, 600В, 90А, 56мОм [SOT-227B (minibloc)], Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5390 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™
Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™ с быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET ™)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN110N60P3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1774056

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

Package Type

SOT-227B

Ширина

25.07мм

Высота

9.6мм

Transistor Material

Кремний

Brand

IXYS

Series

HiperFET, Polar3

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Typical Gate Charge @ Vgs

245 нКл при 10 В

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Mounting Type

Монтаж на панель

Длина

38.23мм

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

90 А

Maximum Power Dissipation

1,5 kW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Drain Source Resistance

56 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Техническая документация

IXFN110N60P3 , pdf , 119 КБ
Datasheet IXFN110N60P3 , pdf , 126 КБ

IXFN110N60P3, Транзистор, Polar3 HiperFET, N-канал, 600В, 90А, 56мОм [SOT-227B (minibloc)] - характеристики, поставщики

Последняя цена 5390 руб.

Техническая документация