IXFN100N65X2, Модуль, одиночный транзистор, Uds 650В, Id 78А, SOT227B, Ugs ±30В, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3860 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFET

Дискретные полупроводниковые модули 650V/78A miniBLOC SOT-227

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN100N65X2

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2185941

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

30.01

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

78 A

Pd - рассеивание мощности

595 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

30 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Вид монтажа

Chassis Mount

Время нарастания

26 ns

Время спада

13 ns

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Конфигурация

Single

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Серия

650V Ultra Junction X2

Технология

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Типичное время задержки выключения

90 ns

Типичное время задержки при включении

37 ns

Торговая марка

IXYS

Упаковка / блок

SOT-227-4

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IXFN100N65X2 , pdf , 143 КБ

IXFN100N65X2, Модуль, одиночный транзистор, Uds 650В, Id 78А, SOT227B, Ugs ±30В - характеристики, поставщики

Последняя цена 3860 руб.

Техническая документация