ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFL132N50P3, Транзистор N-MOSFET, 500В, 63А, 520Вт, ISOPLUS264™ - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFL132N50P3, Транзистор N-MOSFET, 500В, 63А, 520Вт, ISOPLUS264™
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFL132N50P3, Транзистор N-MOSFET, 500В, 63А, 520Вт, ISOPLUS264™
Последняя цена
3320 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор Polar3 HiPerFET Power МОП-транзистор
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFL132N50P3
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2146648
Технические параметры
Вес, г
8
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
25
Серия
IXFL132N50
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
63 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Вид монтажа
Through Hole
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-264-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
43 mOhms
Коммерческое обозначение
HyperFET
Техническая документация
Datasheet IXFL132N50P3 , pdf
, 192 КБ