IXFK94N50P2, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 94A 1300Вт 0,055Ом TO264AA, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2250 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PolarP2 Power МОП-транзистор

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFK94N50P2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2103429

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFK94N50

Тип

PolarP2 HiPerFET

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

94 A

Pd - рассеивание мощности

1.3 kW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-264-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-264AA (IXFK)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

55 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

94A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Series

HiPerFETв„ў, PolarHVв„ў ->

Qg - заряд затвора

228 nC

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

94A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1300W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 8mA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 136 КБ
Datasheet , pdf , 141 КБ

IXFK94N50P2, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 94A 1300Вт 0,055Ом TO264AA - характеристики, поставщики

Последняя цена 2250 руб.

Техническая документация