IXFK44N80P, Транзистор N-МОП, полевой, 800В 44A 1200Вт 0,19Ом TO264AA, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2420 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 44 Amps 800V

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFK44N80P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2098766

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

12.49

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5.13 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFK44N80

Торговая марка

IXYS

Длина

19.96 mm

Высота

26.16 mm

Id - непрерывный ток утечки

44 A

Pd - рассеивание мощности

1.2 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-264-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-264AA (IXFK)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

190 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

44A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

12000pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1040W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 22A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Series

HiPerFETв„ў, PolarHTв„ў ->

Qg - заряд затвора

198 nC

Время нарастания

22 ns

Время спада

27 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

75 ns

Типичное время задержки при включении

28 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

198nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

44A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1040W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 8mA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 233 КБ
Datasheet , pdf , 234 КБ
Datasheet IXFK44N80P , pdf , 96 КБ

IXFK44N80P, Транзистор N-МОП, полевой, 800В 44A 1200Вт 0,19Ом TO264AA - характеристики, поставщики

Последняя цена 2420 руб.

Техническая документация