IXFK44N50P, Транзистор МОП Транзистор N-МОП, полевой, 500В 44A 650Вт SOT2, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1390 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 500V 44A (Tc) 658W (Tc) сквозное отверстие TO-264AA (IXFK)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFK44N50P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2197460

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-264

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

9.78

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5.13 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFK44N50

Торговая марка

IXYS

Длина

19.96 mm

Высота

26.16 mm

Id - непрерывный ток утечки

44 A

Pd - рассеивание мощности

650 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

32 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-264-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-264AA (IXFK)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

140 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

44A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5440pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

658W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 22A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Series

HiPerFETв„ў, PolarHTв„ў ->

Время нарастания

29 ns

Время спада

27 ns

Коммерческое обозначение

HyperFET

Типичное время задержки выключения

85 ns

Типичное время задержки при включении

28 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Transistor Mounting

Through Hole

Линейка Продукции

Polar HiperFET Series

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

500В

Непрерывный Ток Стока

44А

Пороговое Напряжение Vgs

5В

Рассеиваемая Мощность

658Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.14Ом

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 590 КБ
Datasheet , pdf , 147 КБ

IXFK44N50P, Транзистор МОП Транзистор N-МОП, полевой, 500В 44A 650Вт SOT2 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1390 руб.

Техническая документация