ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFK40N90P, Транзистор N-MOSFET, 900В, 40А, 960Вт, TO264 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFK40N90P, Транзистор N-MOSFET, 900В, 40А, 960Вт, TO264
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFK40N90P, Транзистор N-MOSFET, 900В, 40А, 960Вт, TO264
Последняя цена
3390 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFK40N90P
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2194014
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
10
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
25
Серия
IXFK40N90
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
40 A
Pd - рассеивание мощности
960 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
900 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
30 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-264-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
210 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
6.5 V
Qg - заряд затвора
230 nC
Время нарастания
50 ns
Время спада
46 ns
Коммерческое обозначение
HyperFET
Типичное время задержки выключения
77 ns
Типичное время задержки при включении
53 ns
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 125 КБ