IXFK360N10T, Транзистор N-MOSFET, 100В, 360А, 1250Вт, TO264, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1480 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор TRENCH HIPERFET PWR МОП-транзистор 100V 360A

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFK360N10T

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1832629

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFK360N10

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

360 A

Pd - рассеивание мощности

1.25 kW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

180 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-264-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-264AA (IXFK)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.9 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

360A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

33000pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1250W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 100A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 3mA

Series

GigaMOSв„ў HiPerFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

525 nC

Время нарастания

100 ns

Время спада

160 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

80 ns

Типичное время задержки при включении

47 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

525nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 184 КБ
Datasheet , pdf , 182 КБ

IXFK360N10T, Транзистор N-MOSFET, 100В, 360А, 1250Вт, TO264 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1480 руб.

Техническая документация