IXFK32N80P, Транзистор N-MOSFET, 800В, 32А, 830Вт, TO264, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1770 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 32 Amps 800V 0.27 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFK32N80P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2193216

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Ширина

5.13 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFK32N80

Тип

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

19.96 mm

Высота

26.16 mm

Id - непрерывный ток утечки

32 A

Pd - рассеивание мощности

830 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

23 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-264-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

270 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

150 nC

Время нарастания

24 ns

Время спада

24 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

85 ns

Типичное время задержки при включении

30 ns

Техническая документация

Datasheet IXFK32N80P , pdf , 205 КБ

IXFK32N80P, Транзистор N-MOSFET, 800В, 32А, 830Вт, TO264 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1770 руб.

Техническая документация