ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFK30N100Q2, Транзистор, Q2-Class HiperFET, N-канал, 1000В, 30А, 400мОм [TO-264] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFK30N100Q2, Транзистор, Q2-Class HiperFET, N-канал, 1000В, 30А, 400м…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFK30N100Q2, Транзистор, Q2-Class HiperFET, N-канал, 1000В, 30А, 400мОм [TO-264]
Последняя цена
1250 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFK30N100Q2
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1774054
Технические параметры
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.4 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
735
Крутизна характеристики, S
30
Корпус
TO-264
Техническая документация
IXFK-FX30N100Q2 , pdf
, 109 КБ