ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFK240N15T2, Транзистор N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 150В, 240А, 1250Вт, TO264 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFK240N15T2, Транзистор N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 150В, 240А, 1250…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFK240N15T2, Транзистор N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 150В, 240А, 1250Вт, TO264
Последняя цена
2450 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Gate Drivers GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR МОП-транзистор
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFK240N15T2
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2196234
Технические параметры
Вес, г
10
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Категория продукта
Драйверы для управления затвором
Размер фабричной упаковки
25
Серия
IXFK240N15
Торговая марка
IXYS
Pd - рассеивание мощности
1250 W
Вид монтажа
Through Hole
Минимальная рабочая температура
55 C
Упаковка / блок
TO-264
Подкатегория
PMIC - Power Management ICs
Тип продукта
Gate Drivers
Продукт
MOSFET Gate Drivers
Рабочий ток источника питания
120 A
Упаковка
Tube
Технология
Si
Время нарастания
125 ns
Время спада
145 ns
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Выходное напряжение
150 V
Выходной ток
240 A
Количество выходов
1 Output
Количество драйверов
1 Driver
Максимальное время задержки включения
125 ns
Максимальное время задержки выключения
145 ns