IXFK220N17T2, Транзистор N-МОП, полевой, 170В 220A 1250Вт 0,0063Ом TO264AA, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1530 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr МОП-транзистор

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFK220N17T2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2108803

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Ширина

5.13 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFK220N17

Тип

GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

19.96 mm

Высота

26.16 mm

Id - непрерывный ток утечки

220 A

Pd - рассеивание мощности

1.25 kW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

170 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

105 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-264-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6.3 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

500 nC

Время нарастания

160 ns

Время спада

150 ns

Коммерческое обозначение

GigaMOS, HiperFET

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

44 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 179 КБ

IXFK220N17T2, Транзистор N-МОП, полевой, 170В 220A 1250Вт 0,0063Ом TO264AA - характеристики, поставщики

Последняя цена 1530 руб.

Техническая документация