IXFJ20N85X, Транзистор N-MOSFET, 850В, 110Вт, ISOTO247™, 190нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1320 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFJ20N85X

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2136329

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

X-Class

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

9.5 A

Pd - рассеивание мощности

110 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

850 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

6 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

360 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

63 nC

Время нарастания

28 ns

Время спада

20 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

44 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

IXFJ20N85X, Транзистор N-MOSFET, 850В, 110Вт, ISOTO247™, 190нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 1320 руб.