IXFH6N120, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 6А, 300Вт, TO247-3, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1280 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 1200V 6A (Tc) 300W (Tc) сквозное отверстие TO-247AD (IXFH)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH6N120

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2150835

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AD (IXFH)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6Ohm @ 3A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFH6N120 , pdf , 138 КБ

IXFH6N120, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 6А, 300Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1280 руб.

Техническая документация