ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFH50N85X, Транзистор, X-Class HiperFET, N-канал, 850В, 50А, 105мОм [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFH50N85X, Транзистор, X-Class HiperFET, N-канал, 850В, 50А, 105мОм […
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFH50N85X, Транзистор, X-Class HiperFET, N-канал, 850В, 50А, 105мОм [TO-247]
Последняя цена
2550 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 850V Ultra Junction X-Class Pwr МОП-транзистор
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFH50N85X
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1774053
Технические параметры
Вес, г
38
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
850
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.105 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
890
Крутизна характеристики, S
32
Корпус
to-247
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 590 КБ
DS100704B(IXFT-FH-FK50N85X---HV)_-933982 , pdf
, 290 КБ
Datasheet , pdf
, 295 КБ
Datasheet IXFH50N85X , pdf
, 302 КБ