ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFH46N65X2, Транзистор, X2-Class HiperFET, N-канал, 650В, 46А, 69мОм [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFH46N65X2, Транзистор, X2-Class HiperFET, N-канал, 650В, 46А, 69мОм…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFH46N65X2, Транзистор, X2-Class HiperFET, N-канал, 650В, 46А, 69мОм [TO-247]
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор IXYS HiPerFET ™ X2 Series
Серия силовых МОП-транзисторов HiPerFET класса IXYS X2 предлагает значительно меньшее сопротивление и заряд затвора по сравнению с более ранними поколениями силовых МОП-транзисторов, что приводит к снижению потерь и более высокая операционная эффективность. Эти прочные устройства включают в себя усовершенствованный высокоскоростной внутренний диод и подходят как для жесткого переключения, так и для приложений в резонансном режиме. Полевые МОП-транзисторы класса X2 доступны в различных стандартных корпусах, включая изолированные типы, с номиналами до 120 А при 650 В. Типичные применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, приводы двигателей переменного и постоянного тока, импульсные и резонансные источники питания, прерыватели постоянного тока, солнечные инверторы, управление температурой и освещением.
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFH46N65X2
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1774052
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
6.07
Максимальный непрерывный ток стока
46 А
Максимальное рассеяние мощности
660 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
21.34мм
Высота
5.21мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
69 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Прямое напряжение диода
1.4V
Длина
16.13мм
Серия
HiperFET, X2-Class
Типичное время задержки выключения
50 ns
Тип корпуса
TO-247
Размеры
16.13 x 21.34 x 5.21мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
25 ns
Производитель
IXYS
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
98 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
4570 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямая активная межэлектродная проводимость
28с
Техническая документация
IXFH46N65X2 , pdf
, 150 КБ
Datasheet IXFH46N65X2 , pdf
, 158 КБ