IXFH30N60X, Транзистор N-MOSFET, 600В, 30А, 500Вт, TO247-3, 145нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 890 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 600V 30A (Tc) 500W (Tc) сквозное отверстие TO-247

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH30N60X

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2188809

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2270pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

500W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 15A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Series

HiPerFETв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFH30N60X , pdf , 243 КБ

IXFH30N60X, Транзистор N-MOSFET, 600В, 30А, 500Вт, TO247-3, 145нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 890 руб.

Техническая документация