IXFH30N50Q3 транзистор, MOSFET N-Ch 500V 30A Q3 H, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1270 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор IXYS HiperFET ™ серии Q3
Силовые МОП-транзисторы HiperFET ™ класса IXYS Q3 подходят как для жесткого переключения, так и для приложений в резонансном режиме и обеспечивают низкий заряд затвора при исключительной прочности. Устройства включают в себя быстрый внутренний диод и доступны во множестве стандартных корпусов, включая изолированные типы, с номиналами до 1100 В и 70 А. Типичные области применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, зарядные устройства, импульсные и резонансные источники питания, прерыватели постоянного тока, управление температурой и освещением.

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH30N50Q3 транзистор

P/N

IXFH30N50Q3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1809087

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-247

Transistor Material

Length

16.26mm

Brand

IXYS

Series

HiperFET, Q3-Class

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

62 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Transistor Configuration

Одиночный

Maximum Gate Threshold Voltage

6.5V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Power Dissipation

690 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.3мм

Height

16.26mm

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

500 В

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 590 КБ
Datasheet IXFH30N50Q3 , pdf , 132 КБ

IXFH30N50Q3 транзистор, MOSFET N-Ch 500V 30A Q3 H - характеристики, поставщики

Последняя цена 1270 руб.

Техническая документация